福島SiC応用技研株式会社 の採用・求人

会社概要

福島SiC応用技研とは？

SiC(シリコンカーバイト)パワーエレクトロニクスを応用した最先端技術により、高電圧パルス発生装置、BNCTがん治療装置等を研究、開発、製造しています。新しい、自由な社風のベンチャー企業です。

当社の強み・技術の紹介

20世紀はシリコンの時代

21世紀はシリコンカーバイトの時代

代表的な製品の紹介

BNCTがん治療装置

弊社のSiC直列共振式静電加速器による加速器中性子源（以下SiC加速器中性子源）を使用し、装置本体には、10本のSiC加速器中性子源を患者周囲に配置することで中性子線による多門照射を実現します。多門照射を行うことで、体の奥深くにある患部まで中性子線が届けられるようになり、開頭手術、開腹手術が不要なBNCT技術を確立します。頭頚部治療に向けたBNCTではSiC加速器中性子源型番SiCANS-150Dを、肝胆膵治療に向けたBNCTではSiC加速器中性子源型番SiCANS-400Dを適用します。

高電圧パルス発生器

SiC半導体デバイスによる高電圧パルス発生器は、従来の「真空管式高電圧パルス発生器」や「シリコン半導体デバイスによる半導体パルス発生器」と比較して、定格電圧、定格電流、応答特性、故障率など、装置単体レベル性能でも圧倒的なコスト・性能の優位性があります。

SiC半導体遮断機

従来の遮断器は機械接点を使っていたため、高電圧をオフする際はアークが発生して完全にオフまでに数m秒～数十m秒の時間を要していました。SiC半導体遮断器では無電圧接点を使っており、数十kV以上の交流高電圧であっても、或は直流高電圧であってもアークが発生することなく瞬時（数百n秒以内）に電流をオフできます。これまでの機械式遮断器では非常に急激な電流変化や電圧変化から電気回路を保護することができませんでした。SiC半導体遮断機ではこのような非常に急激な電圧変動、電流変動から電気回路を保護することが可能となります。またSiC（シリコンカーバイト）デバイスのオン抵抗は、Si（シリコン）デバイスの1/10～1/100程度であり電力ロスの少ない省エネルギー製品を提供できます。

人事担当からのメッセージ

このページをご覧いただき、ありがとうございます。人事担当の横山です。

弊社では若い人の新しい発想を必要としています。ＳｉＣ技術を用いて世界に先駆けた製品の開発を目指しています。とても自由な社風ですので、気楽に応募してください。お待ちしています！

会社設立と募集の背景

「原子力災害被災地域の復興に向けて頑張っている人達を少しでも支援したい」との強い思いから、半導体素子大手メーカーであるローム株式会社殿、他の出資により、その志を引き継ぎ、福島SiC応用技研株式会社が2014年9月16日に設立され、2017年1月16日には楢葉南工業団地内に敷地面積約8,900平方メートル、本社・楢葉工場が完成しました。

弊社は、SiC（シリコンカーバイド）半導体素子を応用した技術・製品を市場に供給し、医療分野、産業分野等の進化を目標に、社会に貢献していきます。

企業情報